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Samsung fabricará el primer disco eUFS 3.0 de 512 GB del sector

Samsung fabricará el primer álbum eUFS 3.0 de 512 GB del sector

Samsung anunció que comenzaría la producción en masa de la primera departamento de abastecimiento flash universal integrada (eUFS) de 512 GB del globo para teléfonos inteligentes de la próxima concepción.

La compañía todavía planea fabricar una departamento de eUFS 3.0 de 1TB para fin de año.

Doble el abastecimiento, bilateral la aceleración con las eUFS

La departamento de 512 GB de Samsung duplica la aforo de las departamentoes eUFS anteriores.

El en serie eUFS 3.0 todavía se clasifica al bilateral del rendimiento de leída secuencial de las departamentoes eUFS 2.1 de la concepción anterior, alcanzando aun 2,100 Mbps.

Esto es cuatro veces la aceleración de SATA 3 SSD y 20 veces la aceleración típica de una microSD, según Samsung.

La aceleración de grafía secuencial tiene una aceleración nominal de 410 Mbps, que es aproximadamente la aceleración de un SATA 3 SSD.

Las aceleraciónes de leída y grafía aleatorias todavía aumentaron en un 36% con respecto a la concepción anterior de eUFS 2.1, alcanzando 63,000 y 68,000 operaciones de entrada / eclosión por segundo (IOPS), respectivamente.

Según la compañía, esto es 630 veces más rápido que las tarjetas microSD de gama baja que se pueden enviar con aria 100 IOPS de rendimiento.

La fábrica comienza a bailar de eMMC a UFS

En los benjamíns años, la fábrica ha iniciado el cambio al bisoño y más flamante en serie de memoria UFS a través de eMMC, tanto para el abastecimiento interno como para las tarjetas de memoria externas.

Samsung ha estado a la avanzada de este interruptor, lanzando departamentoes internas y externas basadas en el en serie de memoria UFS.

A medida que el en serie eMMC estaba llegando a sus límites, la entroncamiento JEDEC lanzó el en serie UFS para ayudar a los género flash incrustados a abarcar las aceleraciónes de los SSD.

El benjamín en serie eMMC 5.1 fue capaz de abarcar aria 250 Mbps de leída secuencial y 125 Mbps de aceleración de grafía secuencial, entretanto que el en serie UFS de segunda concepción pudo casi redoblar esos números.

Desde entonces, UFS 2.1 y ahora UFS 3.0 han abandonado atrás el en serie eMMC 5.1 en términos de rendimiento, por lo que más participantes de la fábrica deberían aumentar la adopción del bisoño en serie en los próximos años y abandonarse por completo el en serie eMMC.

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